Предыдущая страница реферата | 1  2  3  4  5  6  7  8  9 | Следующая страница реферата



МДП ТРАНЗИСТОРЫ СО ВСТРОЕННЫМ КАНАЛОМ

Можно создать приповерхностный канал путём легирования слоя в процессе изготовления Т. Передаточные характеристики такого Т будут иметь вид:

                                                         Т.е. транзистор может работать как в режиме обогащения

    Ic                                                канала, так и в режиме обеднения. Входное напряжение

                                                         может быть разнополярным.

                                                        Выходные характеристики будут иметь вид:                                  

                                         Несмотря на свойство МДП             Ic

                                                        транзистора со встроенным

                                                        каналом усиливать разнопо-

                                                        лярные сигналы, Т с индуци-

                                                        рованным каналом применяется   Uз > 0

                             Uз           чаще.                                                           

         Uотс                                                                                                Uз = 0

Транзисторы с изолированным затвором обладают:                      Uз < 0

- большим Rвх, чем у полевых Т                                                      Uз = Uотсечения

- большей радиационной стойкостью

- большим быстродействием, особенно Т с n - каналом                                                       Uc

(подвижность n – носителей примерно в 3 раза > чем р).

В дальнейшем будем рассматривать схемы, построенные на транзисторах с изолированным затвором.

СХЕМЫ ВКЛЮЧЕНИЯ МДП ТРАНЗИСТОРОВ

Хотя МДП транзистор и является четырёхполюсником, однако, управление со стороны подножки на практике не находит применения. Ввиду малой крутизны и сравнительно низкого Rвх. Наиболее широкое применение на практике нашла схема с общим истоком, имеющая некоторое сходство со схемой с общим эмиттером. Схема обладает высоким входным сопротивлением и носит ярко выраженный ёмкостной характер (схема а)).

                          +Еп

           Io           Rн

                               Uвых                                                                 ·+Еп

         Iз » 0

                     n                                                                                          Uвых

                                                                                                           Uвх          Rн

Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: реферати українською, организм реферат.



Предыдущая страница реферата | 1  2  3  4  5  6  7  8  9 | Следующая страница реферата

Поделитесь этой записью или добавьте в закладки