Предыдущая страница реферата | 3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13



2 - защитные полиимидные рамки ;

3 - алюминиевые выводы .

I - VIII - последовательность сварки

 

При ультразвуковой сварке плоских выводов с контактными площадками подложек для получения оптимальной прочности соединения необходимо правильно выбирать размеры инструмента и величину деформации вывода. Оптимальными являются следующие соотношения :

Du = dСОЕД = (0,37...0,4)*bЛ

hДЕФ = (0,4...0,5)* d Л

С ³ dСОЕД

где : Du - диаметр инструмента;

bЛ - ширина лепестка;

hДЕФ - величина деформации вывода по толщине;

d Л - толщина лепестка;

С - расстояние от конца вывода до центра точки.

Параметры режима ультразвуковой сварки лепестковых выводов на плату оптимизируются на основе уравнения регрессии для конкретного типоразмера соединения. За оптимальные параметры можно принять : удельное давление 22 - 30 Н/мм2 ; длительность импульса 50 - 60 мс; мощность ультразвуковых колебаний подбирается экспериментально.

 

Итак, общие технологические рекомендации по сварке выглядят следующим образом :

минимальная длина алюминиевого вывода должна рассчитываться по формуле :

d П + 0,5*d Al

l МИН = --------------

D l *(2+D l)

При УЗС алюминиевого вывода к КП кристалла и подложки сварная точка должна формироваться с ребрами жесткости крестообразной формы за счет специальной конструкции рабочего торца инструмента. При этом ребра жесткости формируются за счет канавок на инструменте с радиусом, равным половине толщины алюминиевого вывода. При сварке на подложку выводов (лепестков) относительно большой ширины диаметр сварной точки должен составлять около 0,4 от ширины вывода, при этом расстояние от центра сварной точки до конца вывода должно быть не меньше диаметра сварной точки.

При одиночной сварке выводов к кристаллу должен реализовываться определенный алгоритм: сначала свариваются выводы с одной стороны кристалла, затем с противоположной, а угловые выводы свариваются в последнюю очередь в такой же последовательности.

При групповой сварке лепестковых выводов к шариковым столбикам на кристалле необходимо обеспечить следующее:

- программирование усилия сжатия (удельного давления) с определенной скоростью нарастания (не более 200 Н/мм2с), оптимизацией максимального значения (до 50-60 Н/мм2) и обязательной промежуточной ступенью нагружения (на уровне 0,4-0,5 от максимального);

- наличие системы взаимной ориентации инструмента и кристалла в процессе нагружения для обеспечения параллельности торца инструмента и поверхности кристалла.

Скачали данный реферат: Kochinjan, Геновефа, Borodin, Janko, Ефимов, Kir.
Последние просмотренные рефераты на тему: дипломная работа по менеджменту, курсовая работа на тему бесплатно, реферат сша, реферат финансы.

Предыдущая страница реферата | 3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13

Поделитесь этой записью или добавьте в закладки