Предыдущая страница реферата | 10  11  12  13  14  15  16  17  18  19  20 | Следующая страница реферата

[pic]. (3.14)

По первому закону Кирхгофа для общей точки

[pic]. (3.15)

Как следует из предыдущего рассмотрения, IК и IБ принципиально меньше тока IЭ; при этом наименьшим является ток базы

[pic]. (3.16)

Используя (3.16) и (3.11), получаем связь тока базы с током эмиттера

[pic]. (3.17)

Если в цепи эмиттера нет тока (IЭ = 0, холостой ход), то IБ =
-IКБО, т. е. ток базы отрицателен и по величине равен обратному току коллекторного перехода. При значении I*Э = IКБО /(1-() ток IБ = 0, а при дальнейшем увеличении IЭ (IЭ>I*Э) ток базы оказывается положительным.

Подобно (3.11) можно установить связь IК с IБ. Используя (3.11) и
(3.15), получаем

[pic], (3.18) где

[pic] (3.19)
- статический коэффициент передачи тока базы. Так как значение ( обычно близко к единице, то ( может быть очень большим ((>>1). Например, при ( =
0,99 ( = 99. Из (3.18) можно получить соотношение

[pic]. (3.20)
Очевидно, что коэффициент ( есть отношение управляемой (изменяемой) части коллекторного тока (IК - IКБО) к управляемой части базового тока (IБ +

IКБО).

Все составляющие последнего выражения зависят от IЭ и обращаются в нуль при IЭ = 0. Введя обозначение

[pic], (3.21) можно вместо (3.18) записать

[pic]. (3.22)

Отсюда очевиден смысл введенного обозначения IКЭО: это значение тока коллектора при нулевом токе базы (IБ = 0) или при “обрыве” базы. При IБ = 0

IК = IЭ, поэтому ток IКЭО проходит через все области транзистора и является
“сквозным” током, что и отражается индексами “К” и “Э” (индекс “О” указывает на условие IБ = 0).

3.2 Статические характеристики биполярных транзисторов

Обычно анализируют входные и выходные характеристики БТ в схемах с общей базой и общим эмиттером. Для определенности и преемственности изложения будем рассматривать p-n-p-транзистор.

3.2.1 Схема с общей базой

Семейство входных характеристик схемы с ОБ представляет собой зависимость IЭ = f(UЭБ) при фиксированных значениях параметра UКБ - напряжения на коллекторном переходе (рисунок 3.5,а).

[pic]
|а) |б) |
|Рисунок 3.5 Входные (а) и выходные (б) характеристики БТ в |
|схеме включения с ОБ |

При UКБ = 0 характеристика подобна ВАХ p-n-перехода. С ростом обратного напряжения UКБ (UКБ < 0 для p-n-p-транзистора) вследствие уменьшения ширины базовой области (эффект Эрли) происходит смещение характеристики вверх: IЭ растет при выбранном значении UЭБ. Если поддерживается постоянным ток эмиттера (IЭ = const), т.е. градиент концентрации дырок в базовой области остается прежним, то необходимо понизить напряжение UЭБ, (характеристика сдвигается влево). Следует заметить, что при UКБ < 0 и UЭБ = 0 существует небольшой ток эмиттера IЭ0, который становится равным нулю только при некотором обратном напряжении
UЭБ0.

Семейство выходных характеристик схемы с ОБ представляет собой зависимости IК = f(UКБ) при заданных значениях параметра IЭ (рисунок
3.5,б).

Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: банк курсовых, россия диплом, реферат республика беларусь.



Предыдущая страница реферата | 10  11  12  13  14  15  16  17  18  19  20 | Следующая страница реферата

Поделитесь этой записью или добавьте в закладки