Физические основы электроники
Категория реферата: Рефераты по радиоэлектронике
Теги реферата: ответы по истории, сочинения по русскому языку
Добавил(а) на сайт: Дейнеко.
Предыдущая страница реферата | 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 | Следующая страница реферата
5. Уменьшать время пролета носителей в области коллекторного перехода.
Следует отметить, что ряд требований несовместимы и необходимо при создании транзисторов применять компромиссные решения.
3.7 Работа транзистора в усилительном режиме
При работе транзистора в различных радиотехнических устройствах в его входную цепь поступают сигналы, например переменные напряжения. Под действием входного переменного напряжения изменяются входной и выходной токи транзистора.
Для выделения полезного сигнала в выходную цепь транзистора включают
элементы нагрузки. В простейшем случае нагрузкой может служить резистор
Rк. На резисторе нагрузки за счет прохождения выходного тока выделяется, кроме постоянного, переменное напряжение. Амплитуда этого напряжения
зависит от амплитуды переменной составляющей выходного тока и сопротивления
резистора Rк и может быть больше входного напряжения. Процесс усиления
сигнала удобно рассмотреть на примере простейших усилителей.
Простейшая схема усилителя на транзисторе, включенном по схеме с ОЭ, показана на рисунке 3.13.
Коллекторная цепь состоит из резистора Rк и источника Ек, а цепь базы
- из источников тока IБ0 и IБm Источник IБ0 обеспечивает положение исходной
рабочей точке на участке характеристик с наименьшей нелинейностью. Источник
IБm- источник сигнала. В качестве выходного используется переменное
напряжение, выделяемое на резисторе нагрузки Rк (на коллекторе
транзистора).
[pic]
Рисунок 3.13 Схема усилителя на БТ.
Работа такого усилителя поясняется временными диаграммами токов и напряжений, изображенными на рис. 3..
При IБm =0 токи базы и коллектора будут определяться токами в рабочей точке (IБ 0, IК 0)и напряжением на коллекторе UК0= ЕК-IК 0 ( Rк
[pic]
Рисунок 3.14 Временные диаграммы усилителя.
Во время положительного полупериода входного тока (рис. 3.14, а) прямое напряжение эмиттерного перехода увеличивается, что вызывает рост тока коллектора (рис. 3.14, б) и уменьшение напряжения UКЭ за счет увеличения падения напряжения на сопротивлении коллектора (рисунок 3.14, в). Если работа происходит на линейных участках характеристик транзистора, то формы переменных составляющих токов базы и коллектора совпадают с формой входного напряжения, а переменное напряжение на коллекторе, обусловленной переменной составляющей коллекторного тока, оказывается сдвинутым относительно входного напряжения на 1800. При соответствующем выборе сопротивления нагрузки Rк амплитуда переменного напряжения на выходе такого усилителя Umвых=IКmRк может значительно превышать амплитуду входного напряжения. В этом случае происходит усиление сигнала. Расчет параметров усиления дан в (4(.
3.8 ОСОБЕННОСТИ РАБОТЫ ТРАНЗИСТОРА В ИМПУЛЬСНОМ РЕЖИМЕ
3.8.1 Работа транзистора в режиме усиления импульсов малой амплитуды
Если транзистор работает в режиме усиления импульсных сигналов малой амплитуды, то такой режим работы в принципе не отличается от линейного усиления малых синусоидальных сигналов. Импульс в этом случае может быть представлен в виде суммы ряда гармонических составляющих. Зная частотные свойства транзистора, можно определить искажения формы импульсов, возникающие при усилении.
Схема импульсного усилителя не отличается от схемы усилителя гармонических сигналов (рисунок 3.13).
3.8.2 Работа транзистора в режиме переключения
Биполярный транзистор широко используется в электронных устройствах в качестве ключа - функцией которого является замыкание и размыкание электрической цепи. Имея малое сопротивление во включенном состоянии и большое - в выключенном, биполярный транзистор достаточно полно удовлетворяет требованиям, предъявляемым к ключевым элементам.
Схема транзисторного ключа показана на рисунке 3.15. Во входной цепи действуют источник смещения ЕБЭ, создающий обратное напряжение на эмиттерном переходе, источник управляющих импульсов прямого напряжения UВХ и ограничительный резистор RБ. Обычно RБ((Н11Э. В выходной цепи включены сопротивление нагрузки RК и источник питания ЕКЭ.
[pic]
Рисунок 3.15 Схема импульсного усилителя.
Когда нет импульса на входе, транзистор находится в режиме отсечки и
ток коллектора практически отсутствует IК(IКБ0 (точка А на выходных
характеристиках (рисунок 3.16,б). Напряжение на выходе транзистора uКЭ= ЕКЭ-
IК( RК ( ЕКЭ.
При подаче на вход транзистора импульсов прямого тока
iБ=(UВХ- EБЭ)/RБ=IБ НАС, транзистор открывается, рабочая точка перемещается
в точку Б (режим насыщения) и напряжение на коллекторе падает до значения
uКЭ= ЕКЭ-IК НАС( RК=UКЭ ОСТ. При дальнейшем увеличении тока базы ток
коллектора не увеличивается (рисунок 3.16,а).и напряжение на коллекторе не
изменяется (рисунок 3.16,б).
[pic]
|а) |б) |
|Рисунок 3.16 Зависимость входных (а) и выходных (б) токов БТ. |
Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: банк курсовых, россия диплом, реферат республика беларусь.
Предыдущая страница реферата | 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 | Следующая страница реферата