Предыдущая страница реферата | 4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14 | Следующая страница реферата

Сопротивление выхода первого каскада равно параллельному соединению Rк и выходного сопротивления транзистора Ri.

Rл=Rк||Ri=90,3(Ом)

Rп=Rвх||Rб1||Rб2=620(Ом)

[pic](Ф);

Rл=Rк||Ri=444(Ом)

Rп=Rвх||Rб1||Rб2=48(Ом)

[pic](Ф);

Rл=Rк||Ri=71(Ом)

Rп=Rн =75(Ом)

[pic](Ф); где Ср1 - разделительный конденсатор между Rг и первым каскадом, С12 - между первым и вторым каскадом, С23 - между вторым и третьим, С3 - между оконечным каскадом и нагрузкой. Поставив все остальные емкости по 479?10-
9Ф, мы обеспечим спад, меньше требуемого.

Вычислим Rф и Сф (URФ=1В):

[pic] (9.3)

[pic](Ом)

[pic](Ф) (9.4)
10. Заключение

В данном курсовом проекте разработан импульсный усилитель с использованием транзисторов 2Т602А, КТ339А, имеет следующие технические характеристики:

- верхняя граничная частота 14МГц;

- коэффициент усиления 64 дБ;

- сопротивление генератора и нагрузки 75 Ом;

- напряжение питания 18 В.

Схема усилителя представлена на рисунке 10.1.

[pic]

Рисунок 10.1 - Схема усилителя

При вычислении характеристик усилителя использовалось следующее программное обеспечение: MathCad, Work Bench.

Литература

1. Полупроводниковые приборы. Транзисторы средней и большой мощности:

Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: объект реферата, оформление доклада титульный лист, реферат на тему мыло.



Предыдущая страница реферата | 4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14 | Следующая страница реферата

Поделитесь этой записью или добавьте в закладки