ПРОЕКТИРОВАНИЕ И КОНСТРУИРОВАНИЕ СВЧ ИНТЕГРАЛЬНЫХ УСТРОЙСТВ
Категория реферата: Рефераты по радиоэлектронике
Теги реферата: доклад листья, баллов
Добавил(а) на сайт: Мина.
Предыдущая страница реферата | 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 | Следующая страница реферата
Кольцевые дели гели могут быть изготовлены и для неравного деления
мощности, Р1/Р2= п2. В одном из таких делителей (рис 2.16, б) длины
полуколец остаются равными четверчи длины волны в линии, а их волновые
сопротивления соответственно равны
[pic]
Отношение Р1/Р2 должно быть не более четырех. При большем соотношении мощностей делитель трудно согласовать с входными линиями.
Направленные ответвители и мостовые схемы. В микрополосковых линиях, как правило, используют направленные ответвители с распределенной связью.
Ответвители этого типа (рис. 2.17) являются противонаправленными, т. е. у
них отсутствует связь между плечами 1—4 и 2—3. Исходной величиной для
расчета ответвителя является переходное затухание с [дБ] = 10 lg P1/P2. По
этой величине рассчитывают сопротивление связи и геометрические размеры
полосок.
[pic]
Из мостовых схем в микрополосковой технике наибольшее распространение получили шлейфные мосты (рис. 2.18) и гибридные кольца (рис. 2.19).
В простейшем случае двухшлейфного моста, называемого квадратным мостом, волновые сопротивления вертикальных плеч равны
Zo, а горизонтальных Z1 = Zo/sqr(2). Для расширения полосы рабочих частот и изменения степени деления мощности в выходных плечах применяют многошлейфные схемы. Устройство и принцип работы микрополоскового гибридного кольца такие же, как и у гибридного кольца на других типах линий.
[pic]
Для уменьшения габаритов мостовых схем и кольцевых делителей в микрополосковом исполнении в метровом и дециметровом диапазонах можно выполнять на сосредоточенных L-, С- элементах. На центральной частоте четвертьволновому отрезку линии эквивалентны П- или Т- звенья фильтров нижних (ФНЧ) или верхних (ФВЧ) частот (рис. 2.20), если элементы ФНЧ, например, выбраны из условий
[pic] (9)
Возможны различные варианты построения схем на сосредоточенных элементах. Кольцевой делитель, например, может быть реализован в соответствии со схемами, представленными на рис. 2.21.
Как видно из рис. 2.22, частотные зависимости делителей на
сосредоточенных элементах выражены сильнее, чем зависимости делителей на
отрезках линий. Однако в полосе 10% Ксви< 1,1, переходное затухание C31 (
3,05 дБ, развязка плеч С23 >= 25 дБ. Следовательно, в этой полосе частот
делители (сумматоры) на сосредоточенных элементах могут заменять схемы из
отрезков линий.
В микрополосковых устройствах широко используют частотно-избирательные
фильтры. ФНЧ обычно имеют ступенчатую структуру. Полосовые фильтры
(ППФ.ПЗФ) выполняют на резонансных отрезках линий, связанных
электромагнитной и кондуктивной связью. Строгая теория фильтров на
микрополосковой линии отсутствует. Следовательно, и расчет фильтра будет
приближенным. Экспериментальная настройка микрополоскового фильтра
чрезвычайно затруднена из-за малых размеров всех элементов.
Кроме того, относительно высокие потери в микрополосковой линии не позволяют изготовить очень узкополосные фильтры. В последние годы исследуются вопросы построения узкополосных фильтров из диэлектрических резонаторов с полосой пропускания порядка 0,1%. Однако пока еще остается нерешенной проблема стабильности частотных характеристик таких фильтров из- за больших значений температурных коэффициентов емкости материалов с высокой диэлектрической проницаемостью.
Управление амплитудой и фазой СВЧ сигналов.
В современных радиотехнических системах широко применяют устройства управления амплитудой (многоканальные переключатели, аттенюаторы, амплитудные модуляторы, ограничители) и фазой (фазовращатели) СВЧ сигнала.
Для этих целей используют СВЧ диоды. Управляющий СВЧ диод может включаться в линию последовательно или параллельно.
В микрополосковую линию бескорпусные диоды обычно включают параллельно.
Принцип работы многоканального переключателя (рис. 2.22) заключается в
том, что при подаче положительного смещения диод открывается, его
сопротивление становится намного меньше Z0 и линия в этом сечении
шунтируется диодом. Подводимая мощность отражается от этого сечения линии.
Если же на диод подать отрицательное смещение, то он закрывается, его
сопротивление становится большим и не шунтирует линию. В диоде поглощается
небольшая доля переключаемой мощности. Это позволяет выполнять
переключатели для относительно большой мощности на маломощных приборах.
Если эта мощность мала (менее 1 Вт), то можно применять СВЧ диоды различных
типов: варакторы, туннельные диоды и др. Если же уровень мощности превышает
1 Вт, то пригодны только р—i—n - диоды, способные рассеять до 10 Вт средней
мощности. Необходимо отметить, что вносимые потери в переключателе в режиме
пропускания LП и запирания LЗ связаны зависимостью
[pic] где Rmax, Rmin — сопротивления диода при подаче отрицательного и положительного смещения соответственно, К — качество р—i — n-диода.
Обычно переключатели разрабатывают на максимальный уровень
переключаемой мощности. В этом случае режим работы переключателя
целесообразно выбрать таким, чтобы в положениях «включено» и «выключено» в
диоде поглощалась одинаковая мощность. При этом в диоде поглощается около
6% коммутируемой мощности. Потери в режиме «включено» составляют 0,5 дБ, в
режиме «выключено» 26...28 дБ. Если требуется увеличить вносимые потери в
режиме «выключено», вдоль линии можно установить несколько диодов на
расстоянии четверти длины волны. Мощность управления одним р—i—n - диодом
составляет 0,03...0,1 Вт.
Если нужно уменьшить мощность управления (например, при большом числе диодов), можно применить варакторы МДП. У этих приборов при изменении напряжения смещения изменяется емкостная проводимость. Ток утечки в них не превышает 10-14 А, из за чего требуемая мощность управления существенно уменьшается.
На основе одноканального переключателя созданы электрически управляемые аттенюаторы. В них напряжение смещения диода плавно изменяют в пределах ±Uсм При этом вносимое затухание изменяется в пределах 0,5...28 дБ.
Если в линию включить варактор или диод с барьером Шоттки без внешнего
смещения, то на нем за счет проходящего сигнала поддерживается постоянное
напряжение порядка 1 В, т. е. происходит амплитудное ограничение сигнала.
Такие схемы используются в РЛС для защиты входных цепей приемников и в ЧМ
приемниках для устранения паразитной амплитудной модуляции.
Переключающие свойства р—i—n -диодов используют длч создания
дискретных микрополосковых фазовращателей (рис. 2.23). Такие фазовращатели
для упрощения управления ими строят in принципу двоичной разрядности
(первый разряд обеспечивает изменение фазы на величину ((, второй — на 2
((, третий — на 4 (( и т. д.).
Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: поняття реферат, bestreferat ru, реферат н.
Предыдущая страница реферата | 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 | Следующая страница реферата