Теория
Категория реферата: Рефераты по радиоэлектронике
Теги реферата: конспект, бесплатно рассказы
Добавил(а) на сайт: Krutikov.
Предыдущая страница реферата | 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 | Следующая страница реферата
Соединив точки "А" и "В" прямой линией, получим нагрузочную характеристику по постоянному току ( линия «АВ».
Все возможные значения токов и напряжений транзистора определяются в
точках пересечения его ВАХ с линией нагрузки по постоянному току. Если, например, задан ток Iбп, то падение напряжения на транзисторе Uкэп и ток
Iкп через него в режиме покоя будут определяться положением рабочей точки
"РТ". Если входной ток (ток базы) увеличить до значения Iб5 , то новые
значения Uкэп и Iкп определяются положением точки "С" и т. д.
Внимание. Построив нагрузочную, убедитесь, что она укладывается в рабочую область ВАХ, для чего рассчитайте характеристику допустимой мощности рассеивания на коллекторном переходе и постройте гиперболу рассеяния [pic]. Нагрузочная характеристика должна располагаться ниже гиперболы рассеивания (на рис. 2.15, б. нерабочая область затемнена).
2.8.5.2. Определение протяженности рабочего участка нагрузочной характеристики
Прежде чем задать положение рабочей точки на нагрузочной характеристике, необходимо определить протяженность рабочего участка нагрузочной.
Рис. 2.15. Выходные характеристики (б) и временные диаграммы усилителя: а ( выходного тока Ik = f(t); в ( выходного напряжения
Uкэ = f(t);
Конечно, для получения максимальной выходной мощности желательно использование всей нагрузочной характеристики, но в режиме насыщения транзистора в выходном сигнале заметно увеличивается уровень нелинейных искажений, а в режиме отсечки (когда ток базы равен нулю) имеет место неуправляемый ток Iкэо. За счет этих двух режимов протяженность рабочего участка нагрузочной характеристики ограничивается отрезком «CD».
Конечно, для получения максимальной выходной мощности желательно использование всей нагрузочной характеристики, но в режиме насыщения транзистора в выходном сигнале заметно увеличивается уровень нелинейных искажений, а в режиме отсечки (когда ток базы равен нулю) имеет место неуправляемый ток Iкэо. За счет этих двух режимов протяженность рабочего участка нагрузочной характеристики ограничивается отрезком «CD».
2.8.5.3. Положение рабочей точки на ВАХ
На полученном рабочем участке «CD» в режиме покоя задается положение
рабочей точки (РТ). Рабочая точка задается в таком месте нагрузочной
характеристики, где при подключении генератора переменной ЭДС, изменения
тока базы будут приблизительно симметричными относительно ее заданного
положения, а мощность, потребляемая при этом усилителем, ( минимальной.
Следовательно, положение рабочей точки нелинейного активного прибора
(транзистора) однозначно определяется управляющим сигналом со стороны
входа. Рабочую точку, в общем случае, выбирают исходя из режима, в котором
должен работать транзистор: если РТ задана правильно, то при подключении
генератора входного сигнала приращения выходного напряжения ((Uвых.мак
будут такими, при которых транзистор продолжает работать в активном режиме, мощность, рассеиваемая на нем, не будет превышать допустимую, нелинейные
искажения будут минимальными, коэффициент полезного действия (КПД) высоким
и будут выполняться условия
[pic];
[pic];
[pic]
[pic], где Uкэп, Iкп ( ток и напряжение коллектора в режиме покоя; Uкэм,
Iкм ( амплитудные значения напряжения и тока коллектора; [pic]; [pic] ( допустимые значения напряжения на коллекторе и мощности, рассеиваемой на нем (их значения для данного типа транзистора берутся из справочной литературы).
Таким образом, рабочая точка должна располагаться ниже гиперболы рассеяния [pic] и левее вертикали [pic].
2.8.5.4. Построение рабочей характеристики на входных ВАХ
После того как были проделаны все построения на выходных ВАХ транзистора, связанные с построением нагрузочной характеристики и определением положения рабочей точки на ней, необходимо построить рабочую характеристику на входных ВАХ и перенести все точки на нее с выходной нагрузочной. Так как семейство входных ВАХ представляет собой узкий пучок характеристик, то достаточно взять одну из них и использовать ее как рабочую (рис. 2.16).
Примечание. Для расчетов нельзя использовать характеристику, снятую при напряжении на коллекторе равном нулю.
Рабочая точка на входной рабочей характеристике должна строго соответствовать значению тока базы покоя на нагрузочной (в данном случае ток базы покоя Iбп = 200 мкА). Напряжение на коллекторе очень слабо влияет на входные напряжение и ток, поэтому значение Uкэ для положения РТ не критично и может отличаться от Uкэп, установленного на нагрузочной характеристике. Точка D’ на рабочей характеристике лежит на оси напряжения, так как базовый ток отсутствует, но эта точка лежит не в начале координат, потому что в цепи коллектор-эмиттер течет ток неосновных носителей Iкэо, за счет которого и создается падение напряжения на участке база-эмиттер.
По форме переменного напряжения на входе усилителя (рис. 2.16, в) можно судить об уровне нелинейных искажений во входном сигнале: Uбэ ( это падение напряжения на входном сопротивлении транзистора, а оно имеет нелинейный характер, то есть сам транзистор может стать причиной дополнительных нелинейных искажений в выходном сигнале.
Заданное положение РТ на ВАХ характеризуется ее параметрами ( Iбп,
Uбэп, Iкп, Uкэп, Pкп, и эти параметры необходимо обеспечить в реальной
схеме, выбрав соответствующие напряжения источников питания и смещения, а
также рассчитать по этим параметрам номиналы режимных резисторов (Rб1,.
Rб2, Rэ, Rк) в соответствии с формулами 2.21, 2.22,
2.22, а, 2.23.
2.8.5.5. Параметры усиления
Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: изложение материала, культурология, сочинения по литературе.
Предыдущая страница реферата | 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 | Следующая страница реферата