Предыдущая страница реферата | 2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12 | Следующая страница реферата

(h21об ( (; h21оэ ( ()([pic] (при U2 = const); (2.18)

4) h12 ( коэффициент внутренней обратной связи, показывает какая

часть выходного напряжения через элемент внутренней связи попадает на вход (определяется в режиме Х,Х, со стороны входа):

[pic] (при I1= const).

(2.19)

Система h-параметров называется смешанной, или гибридной, потому что параметры имеют разные размерности.

Схема замещения транзистора в системе h-параметров представлена

на рис. 2.9.

В схеме замещения (рис. 2.9) отражены: а) активные свойства транзистора (с помощью генератора тока h21I1); б) внутренняя обратная связь по напряжению в транзисторе (с помощью генератора напряжения на входе h12U2); в) наличие входного сопротивления и выходной проводимости транзистора
(h11 и h22 соответственно).

[pic]

Рис. 2.9. Схема замещения транзистора через систему h-параметров

2.7. Температурные и частотные свойства биполярного транзистора

Различают три основные причины зависимости коллекторного тока от температуры:

1) зависимость тока неосновных носителей Iкбо от температуры (этот ток удваивается при изменении температуры на каждые 10 оС у германиевых транзисторов и на каждые 7 оС у кремниевых;

2) напряжение эмиттер-база с увеличением температуры уменьшается
(примерная скорость этого уменьшения (Uбэ / (Т ( - 2,5 мВ/оС);

3) коэффициент передачи тока базы ( (h21) с повышением температуры увеличивается.

Самое ощутимое влияние на работу транзистора при повышении температуры оказывает ток Iкбо. За счет этого тока может произойти тепловой пробой коллекторного перехода.

Температурные свойства транзистора в схеме с ОБ лучше, чем в схеме с
ОЭ. Например, если при температуре 20 оС германиевый транзистор имел коэффициент передачи тока эмиттера h21 = 50, ток коллектора Iк = 100 мА, ток неосновных носителей Iкбо = 10 мкА, то при изменении температуры с 20 оС до 70 оС у германиевого транзистора в схеме с ОБ произойдет увеличение тока Iкбо в 32 раза (1.5), то есть ток Iкбо станет равен 320 мкА, а ток коллектора

Iк = 100,32 мА. Такое незначительное увеличение тока коллектора при изменении температуры на +50 оС практически не нарушит работу транзистора.

В схеме на транзисторе с ОЭ картина иная, так как сквозной ток через коллекторный и эмиттерный переходы Iкэо будет примерно в ( раз больше тока
Iкбо, то есть у того же транзистора, что использовался в схеме с ОБ, при изменении температуры на те же +50 оС произойдет увеличение тока неосновных носителей Iкэо до 16 мА, а коллекторного тока со 100 мА до

116 мА. Такое изменение тока коллектора основательно повлияет на режим транзистора и на его основные характеристики.
С повышением частоты усилительные свойства транзистора ухудшаются по двум причинам:

1) влияние диффузионной и барьерной емкостей эмиттерного и коллек- торного переходов;

2) появление фазового сдвига между переменными составляющими тока эмиттера и коллектора. Период подводимых колебаний становится соизмеримым со временем пролета носителей, в базе происходит накопление объемного заряда, за счет которого затруднена инжекция носителей в базу из эмиттера, так как на рассасывание заряда требуется определенное время. Коэффициент передачи тока эмиттера уменьшается и становится комплексной величиной.

Для характеристики частотных свойств транзистора вводятся параметры: предельная частота транзистора fпр ( это такая частота, на которой статический коэффициент передачи тока эмиттера ( уменьшается в (2 раз по сравнению с «(», измеренном на частоте 1000Гц; граничная частота транзистора fгр ( это такая частота, на которой модуль коэффициента передачи тока базы становится равным единице. На любой частоте в диапазоне 0,1fгр < f < fгр модуль коэффициента передачи тока базы изменяется в два раза при изменении частоты в два раза; максимальная частота генерации ( наибольшая частота, при которой транзистор способен работать в схеме автогенератора при оптимальной обратной связи. Приближенно эта частота соответствует выражению

[pic] где fгр ( граничная частота в МГц; (к = r’бСк ( постоянная времени цепи обратной связи, определяющая устойчивость усилительного каскада к самовозбуждению; r’б ( распределенное омическое сопротивление базовой области; Ск ( емкость коллекторного перехода.

Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: изложение материала, культурология, сочинения по литературе.



Предыдущая страница реферата | 2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12 | Следующая страница реферата

Поделитесь этой записью или добавьте в закладки