Туннелирование в микроэлектронике
Категория реферата: Рефераты по радиоэлектронике
Теги реферата: сочинение тарас, новшество
Добавил(а) на сайт: Чан.
Предыдущая страница реферата | 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 | Следующая страница реферата
диффузионный ток диода. При рассмотрен-
ных значениях Uпр=0,2 В диффузионный ток
гораздо меньше туннельного тока, а при
Uпр>0,2 В диффузионный ток возрастает и
достигает значений, характерных для прямо
го тока обычного диода.
Uпр=0,2 B n p
ЗП
0,6 эВ
0,6 эВ ЗЗ
ВЗ
Рис. 3.3 Энергетическая диаграмма туннельного диода при
Uпр=0,2 В
На рис. 3.4 рассмотрен случай, когда обратное напряжение Uобр=0,2 В.
Высота потенциального барьера стала 1 эВ, и значительно увеличилось число
уровней, занятых электронами в валентной зоне р-области и соответствуют их
свободным уровням в зоне проводимости n-области. Поэтому резко возрастает
обратный туннельный ток, который получается такого же порядка, как и ток
при прямом напряжении.
Вольт-амперная характеристика туннельного диода (рис. 3.5) поясняет рас-
смотренные диаграммы. Как видно, при U=0 ток равен нулю. Увеличение
прямого напряжения до 0,1 В дает возрастание прямого туннельного тока до
максимума (точка А). Дальнейшее увеличение прямого напряжения до 0,2 В
сопровождается уменьшением туннельного тока. Поэтому в точке Б получается
минимум тока и характеристика имеет падающий участок АБ, для которого
характерно отрицательное сопротивление переменному току:
Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: книга изложение, стандарты реферата, скачати реферат на тему.
Предыдущая страница реферата | 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 | Следующая страница реферата