Предыдущая страница реферата | 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 | Следующая страница реферата

[pic], (2.3)

[pic]. (2.4)
3. Вычисляют входную проводимость и емкость усилительного каскада.

[pic] (2.5)

[pic] (2.6)
4. Разделительную емкость [pic] определяют по заданным искажениям [pic] на нижней граничной частоте:

[pic], (2.7) где [pic].
5. И наконец находят емкость [pic]:

[pic]. (2.8)

При расчете усилителей импульсных сигналов с длительностью [pic] задаются обычно временем установления фронта импульса [pic] и его скалыванием [pic]. В этом случае элементы схемы [pic] и [pic] находятся из соотношений (2.3) и (2.7):

[pic], (2.9)

[pic]. (2.10)

Особенность расчета промежуточных каскадов заключается в том, что их потребителем является последующий усилитель, входная проводимость [pic] и емкость [pic] которого находятся с помощью выражений (2.5) и (2.6).

При решении ряда задач возникает необходимость усиливать сигналы в широкой полосе частот, и, если полоса пропускания обычного апериодического усилителя оказывается недостаточной, ее стараются расширить, используя ВЧ- и НЧ-коррекции. Частотная коррекция обычно осуществляется одним из двух методов:
1. введением в цепь коллекторной (стоковой) нагрузки частотно-зависимых элементов (L-коррекция в области ВЧ и цепочка [pic] - в области НЧ);
2. использованием частотно-зависимой отрицательной обратной связи (ООС)

(эмиттерная коррекция в области ВЧ).

Расчет "Y"-параметров транзистора

Основными активными приборами усилительных устройств радиочастотного диапазона являются биполярные и полевые транзисторы. Расчет характеристик усилителей умеренно высоких частот удобно проводить по Y-параметрам транзисторов, определенным для выбранной рабочей точки (РТ) по постоянному ток и схемы включения (ОЭ, ОБ, ОК, ОИ, ОЗ, ОС).

В инженерной практике широко используется физическая эквивалентная схема биполярного транзистора, представленная на Рисунок 2, которая достаточно точно отражает его свойства в частотном диапазоне до [pic], где
[pic] - граничная частота усиления тока базы в схеме с общим эмиттером
(ОЭ).

[pic]

Рисунок 2

Рассчитывают элементы эквивалентной схемы и Y-параметры биполярного транзистора по справочным данным, где для типового режима работы (заданной
РТ) обычно приводятся следующие электрические параметры:
- [pic] - постоянное напряжение коллектор-эмиттер;
- [pic] - постоянный ток коллектора;
- [pic] - статический коэффициент усиления тока базы в схеме с ОЭ.
- [pic] - модуль коэффициента усиления тока базы на частоте [pic] или

[pic].
- [pic] - постоянная времени цепи обратной связи [pic], где [pic] - технологический параметр, лежащий в пределах 3…4 для мезатранзисторов и

4…10 для планарных;
- [pic] - емкость коллекторного перехода.

Элементы эквивалентной схемы определяется с помощью следующих соотношений.
Дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода [pic]:

[pic]. (3.1)
Параметр [pic], характеризующий активность транзисторов:

[pic].
Сопротивление растекания базы [pic]:

[pic]. (3.2)
Дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода [pic]:

[pic]. (3.3)
Емкость эмиттерного перехода [pic]:

Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: реферат подросток, сочинение сказка, рефераты,.



Предыдущая страница реферата | 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 | Следующая страница реферата

Поделитесь этой записью или добавьте в закладки