Предыдущая страница реферата | 3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13 | Следующая страница реферата

[pic], (6.9) где [pic] - сопротивление току растекания базы транзистора.

Расчет

[pic]

Рисунок 5

Все расчеты и вычисления проводились на ЭВМ, поэтому при решении неравенств выбирались значения с умыслом.

Рассчитаем необходимую полосу пропускания усилителя для формирования данного импульса.
Время фронта (установления) [pic] и верхняя граничная частота [pic] апериодического усилителя связаны между собой соотношением [pic], отсюда получаем:

[pic] [Гц].
А нижняя граничная частота [pic] связана со сколом [pic] выражением [pic], отсюда получим:

[pic] [Гц].
Нетрудно заметить, что транзистор нужен ВЧ, поэтому возьмем транзистор с данными характеристиками (см. Таблица 1):

Таблица 1

|Тип |Техноло|[pi|[pic|[pic|[pic],|[pic|[pic], |[pic|[pic|[pi|
|транзис|гия |c] |], В|], |мкА |] |МГц |], |], В|c],|
|тора |изготов| | |мА | | | |пФ | |пс |
| |ления | | | | | | | | | |
|КТ399А |эп. пл.|40 |1 |5 |0,5 |— |2600 |1,03|5 |4 |
| |[1] | | | | | | | | | |

Расчет необходимого количества каскадов

Сопротивление растекания базы [pic] (3.2) при технологическом параметре
[pic]:

[pic] [Ом].
Высокочастотный параметр:

[pic]
Максимальную площадь усиления дифференциального каскада оценим по (1.5):

[pic],
[pic] - функция, учитывающая уменьшение [pic] с ростом числа каскадов, возьмем [pic].

[pic].
Определим ориентировочное число каскадов усилителя по (1.6), при [pic] - для случая с высокочастотной коррекцией:

[pic].
Согласно выражению (1.2) верхняя граничная частота каждого каскада:

[pic] [Гц].
Согласно выражению (1.3) нижняя граничная частота каждого каскада:

[pic] [Гц].
Коэффициент усиления каждого каскада (1.4) и требуемая площадь усиления
(1.1):

[pic]

[pic].

Расчет оконечного усилительного каскада

Исходные данные:
1. Коэффициент усиления [pic];
2. Верхняя и нижняя граничные частоты [pic] Гц, [pic] Гц;
3. Уровень линейных искажений на частотах [pic] и [pic] - [pic] и [pic] равны [pic];
4. Сопротивление потребителя [pic] Ом.
Еще раз проверяем выбранный транзистор на пригодность, реализовать требуемый коэффициент усиления и полосу пропускания при запанных частотных искажениях, по неравенству (2.1):

[pic]
По выражению (3.1) определим дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода [pic], причем [pic]:

[pic] [Ом].
Дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода [pic] (3.3):

Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: реферат подросток, сочинение сказка, рефераты,.



Предыдущая страница реферата | 3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13 | Следующая страница реферата

Поделитесь этой записью или добавьте в закладки