ЭТПиМЭ
Категория реферата: Рефераты по схемотехнике
Теги реферата: allbest, сочинение по русскому
Добавил(а) на сайт: Nefed'ev.
Предыдущая страница реферата | 1 2 3 4 5 6 | Следующая страница реферата
В ы х о д: ОК; ОС; или ОЭ.
Рпот < 120 мBт tз.р. ( 60 нс
Ч а с т ь 1
1.1. Упрощение логических выражений.
[pic]
1.2. Формальная схема устройства.
1.3. Обоснование выбора серии ИМС.
Учитывая, что проектируемое цифровое устройство должно потреблять мощность не превышающую 100мВт и время задержки не должно превышать 100 нс для построения ЦУ можно использовать микросхемы серии КР1533 (ТТЛШ) имеющие следующие технические характеристики:
Напряжение питания: 5В[pic]10%.
Мощность потребления на вентиль: 1мВт.
Задержка на вентиль: 4 нс.
1.4. Выбор микросхем.
1.4.1. Логический элемент (ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ(.
D1 - KP1533ЛП 5
Параметры:
Рпот = Епит ( Iпот = 5 ( 5,9 = 29.5 мВт
Епит = 5 В
Iпот = 5,9 мА
[pic]
[pic]
1.4.2. Логический элемент ( 2ИЛИ ( с мощным открытым коллекторным выходом.
D2 - КР1533ЛЛ4
Параметры:
[pic]
Епит = 5 В
I1пот = 5 мА
I0пот = 10,6 мА
[pic]
[pic]
1.4.3. Логический элемент (2И( с открытым коллектором.
D3 - KP1533ЛИ2
Параметры:
[pic]
Епит = 5 В
I1пот = 2,4 мА
I0пот = 4,0 мА
[pic]
[pic]
1.4.3. Логический элемент (2И( с повышенной нагрузочной способностью.
D4 - KP1533ЛИ1
Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: реферат будущее, реферати, курсовая работа по менеджменту.
Предыдущая страница реферата | 1 2 3 4 5 6 | Следующая страница реферата