ЭТПиМЭ
Категория реферата: Рефераты по схемотехнике
Теги реферата: allbest, сочинение по русскому
Добавил(а) на сайт: Nefed'ev.
Предыдущая страница реферата | 1 2 3 4 5 6 | Следующая страница реферата
2.2. Таблица состояний логических элементов схемы.
|Х1 |Х2 |Х3 |Х4 |Uвх1|Uвх2|Uвх3|Uвх4|VT1 |VT2 |VT3 |VT4 |Uвых|Y |
|1 |1 |1 |1 |5 |5 |5 |5 |Закр|откр|закр|откр|0,2 |0 |
|0 |0 |0 |0 |0,2 |0,2 |0,2 |0,2 |Откр|закр|откр|закр|5 |1 |
|0 |0 |1 |1 |0,2 |0,2 |5 |5 |Откр|закр|откр|закр|5 |1 |
2.3. Таблица истинности.
На выходе схемы появится уровень логической единицы при условии, что хотя бы на одном, но не на всех входах (1(. Если на всех входах (1(, то на выходе (0(.
|Х1 |Х2 |Х3 |Х4 |Y |
|0 |0 |0 |0 |1 |
|0 |0 |0 |1 |1 |
|0 |0 |1 |0 |1 |
|0 |0 |1 |1 |1 |
|0 |1 |0 |0 |1 |
|0 |1 |0 |1 |1 |
|0 |1 |1 |0 |1 |
|0 |1 |1 |1 |1 |
|1 |0 |0 |0 |1 |
|1 |0 |0 |1 |1 |
|1 |0 |1 |0 |1 |
|1 |0 |1 |1 |1 |
|1 |1 |0 |0 |1 |
|1 |1 |0 |1 |1 |
|1 |1 |1 |0 |1 |
|1 |1 |1 |1 |0 |
[pic]
- Схема выполняет логическую функцию(И-НЕ(.
2.4. Расчет потенциалов в точках.
2.4.1. Комбинация 0000.
При подаче на вход комбинации 0000 потенциал в точке (A(
складывается из уровня нуля равно 0,2 В и падения напряжения на открытом p-
n переходе равном 0,7 В. Значит потенциал в точке (A( Uа = 0,2 + 0,7 =
0,9 В.
Транзистор VT2 закрыт (см. п. 2.1.2.) ток от источника питания через него
не проходит поэтому потенциал в точке (B( Uб = Eпит = 5 В. Транзистор VT2
и VT4 закрыт, поэтому потенциал в точке (C( Uс =0 В. Потенциал в точке (D(
складывается из Епит = 5 В за вычетом падения напряжения на открытом
транзис-торе VT3 равным 0,2 В и падения напряжения на диоде VD2 = 0,7 В.
Напряжение Ud = 5 - ( 0,2 + 0,7 ) = 4,1 В.
2.4.2. Комбинация 1111.
При подачи на вход комбинации 1111 эмиттерный переход VT1 запирается, через коллекторный переход протекает ток. На коллекторный переход VT1
подают напряжение равным 0,7 В. Далее 0,7 В подают на диоде КD1 и открытом
эмитторном переходе транзистора VT2 , а также на открытом эмиттерном
переходе транзистора VT4. Таким образом потенциал в точке (a( Ua = 0,7 +
0,7 + 0,7 + 0,7 =2,8 В. Потенциал в точке (C( Uс = 0,7 В. (Падение
напряжения на эмиттерном переходе VT4 ).
Потенциал в точке (B( напряжение базы складывается из потенциала на
коллекторе открытого транзистора VT2 = 0,2 В и падения напряжения на
коллекторном переходе транзистора VT3 = 0,7 В. Напряжение Uб = 0,2 + 0,7 =
0,9 В. Потенциал в точке (D( напряжение Ud = 0,2 В. (Напряжения на
коллекторном переходе открытого эмиттерного перехода VT4 ).
2.4.3. Любая иная комбинация.
При подачи на вход любой другой комбинации содержащей любое количество нулей и единицу (исключая комбинацию 1111) приведет к ситуации аналогичной п.3.2.1.
2.5. Расчет токов.
2.5.1 Комбинация 0000.
[pic]
[pic]
[pic]
2.5.2 Комбинация 1111.
[pic]
[pic]
[pic]
2.6. Расчет мощности рассеиваемой на резисторах.
2.6.1 Комбинация 0000.
Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: реферат будущее, реферати, курсовая работа по менеджменту.
Предыдущая страница реферата | 1 2 3 4 5 6 | Следующая страница реферата