Системы цифрового видеонаблюдения при организации охранных структур на особо охраняемых объектах
Категория реферата: Рефераты по юриспруденции
Теги реферата: скачать реферат на тему, сочинение евгений онегин
Добавил(а) на сайт: Kirilenko.
Предыдущая страница реферата | 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 | Следующая страница реферата
10. Возможность получения высококачественного изображения.
11. Абсолютно стабильный и четкий стоп – кадр.
Эти факторы обусловили появление на рынке значительного числа всевозможных цифровых систем, различающихся как по качеству и функциональным возможностям, так и по стоимости.
Устройство и основные принципы работы элементов телевидения
(видеокамер)
Основу любой системы телевизионного наблюдения составляют телевизионные камеры. В конструкции видеокамеры можно выделить следующие основные функциональные системы:
1. Преобразователь свет-сигнал.
2. Синхронизация.
3. Автодиафрагма.
4. Фокусное расстояние.
5. Относительное отверстие.
6. Формат матрицы.
7. Чувствительность.
8. Отношение сигнал шум.
9. Преобразователь свет-сигнал.
10. Устройства и основные принципы работы.
Преобразование свет-сигнал осуществляется прибором с зарядовой связью
(ПЗС). Упрощенно прибор с зарядовой связью можно рассматривать как матрицу
близко расположенных МДП-конденсаторов. Структуры металл-диэлектрик-
полупроводник (МДП-структуры) научились получать в конце 50-х годов. Были
найдены и развиты технологии, которые обеспечивали низкую плотность
дефектов и примесей в поверхностном слое полупроводника.
С физической точки зрения ПЗС интересны тем, что электрический сигнал в них представлен не током или напряжением, как в большинстве других твердотельных приборах, а зарядом. При соответствующей последовательности тактовых импульсов напряжения на электродах МДП-конденсаторов зарядовые пакеты можно переносить между соседними элементами прибора. Поэтому такие приборы и названы приборами с переносом заряда или с зарядовой связью.
На рисунке показана структура одного элемента, линейного трехфазного
ПЗС в режиме накопления. Структура состоит из слоя кремния р-типа
(подложка), изолирующего слоя двуокиси кремния и набора пластин-электродов.
Один из электродов смещен более положительно, чем остальные два, и именно
под ним происходит накопление заряда. Полупроводник р-типа, получают
добавлением (легирование) к кристаллу кремния акцепторных примесей, например, атомов бора. Акцепторная примесь создает в кристалле
полупроводника свободные положительно заряженные носители — дырки. Дырки в
полупроводнике р-типа являются основными носителями заряда, свободных
электронов там очень мало. Если теперь подать небольшой положительный
потенциал на один из электродов ячейки трехфазного ПЗС, а два других
электрода оставить под нулевым потенциалом относительно подложки, то под
положительно смещенным электродом образуется область, обедненная основными
носителями - дырками. Они будут оттеснены вглубь кристалла. На языке
энергетических диаграмм это означает, что под электродом формируется
потенциальная яма.
[pic]
В основе работы ПЗС лежит явление внутреннего фотоэффекта. Когда в
кремнии поглощается фотон, то генерируется пара носителей заряда - электрон
и дырка. Электростатическое поле в области пикселя “растаскивает” эту пару, вытесняя дырку вглубь кремния. Не основные носители заряда, электроны, будут накапливаться в потенциальной яме под электродом, к которому подведен
положительный потенциал. Здесь они могут храниться достаточно длительное
время, поскольку дырок в обедненной области нет и электроны не
рекомбинируют. Носители, сгенерированные за пределами обедненной области, медленно движутся - диффундируют и, обычно, рекомбинируют с решеткой
прежде, чем попадут под действие градиента поля обедненной области.
Носители, сгенерированные вблизи обедненной области, могут диффундировать в
стороны и могут попасть под соседний электрод. В красном и инфракрасном
диапазонах длин волн ПЗС имеют разрешение хуже, чем в видимом диапазоне, так как красные фотоны проникают глубже в кристалл кремния и зарядовый
пакет размывается.
Заряд, накопленный под одним электродом, в любой момент может быть
перенесен под соседний электрод, если его потенциал будет увеличен, в то
время как потенциал первого электрода будет уменьшен. Перенос в трехфазном
ПЗС можно выполнить в одном из двух направлений (влево или вправо, по
рисункам). Все зарядовые пакеты линейки пикселов будут переноситься в ту же
сторону одновременно. Двумерный массив (матрицу) пикселов получают с
помощью стоп-каналов, разделяющих электродную структуру ПЗС на столбцы.
Стоп каналы — это узкие области, формируемые специальными технологическими
приемами в приповерхностной области, которые препятствуют растеканию заряда
под соседние столбцы.
[pic]
[pic]
Строение ПЗС матрицы камеры
Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: решебник виленкин, питание реферат, информационные системы реферат.
Предыдущая страница реферата | 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 | Следующая страница реферата