Предыдущая страница реферата | 2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12 | Следующая страница реферата

Расширенная память XMS. Для того, чтобы она была доступна используют специальные драйверы:

HIMEM.SYS
QEMM.SYS
Область старшей памяти – это область памяти в один сегмент (64кБ) после
1МБ.
Для того, чтобы использовать эту память существует драйвер XMS.SYS.

Физическая организация памяти.
1. Двусторонние ЗУ.
Составной частью являются элементы памяти:
1. Бистабильный триггер – статическая память (SIM).
2. Электронный ключ на полевом транзисторе – динамическая память (DIM).
3. Магнитный сердечник – ферритовая память.

Это все были статические запоминающие элементы, т. е. Они могут хранить информацию сколь угодно долго, пока есть питание.

Простейшие схемы динамической памяти.
Должно выполнятся условие Сз.э.>>Ср.ш.

Информация должна возобновится.

Режимы работы ЗУ.
1) хранение
2) чтение
3) запись
4) регенерация (для динамической памяти)
5) чтение – модификация – запись (считываемые данные изменяются, и записываются по этому же адресу).
Преимущества п/п ЗУ.
1) большая емкость при малых размерах
2) высокое быстродействие
3) высокая технологичность
4) низкая емкость.
Недостатки п/п ЗУ.
1) потеря информации при отключении питания
2) чувствительность к воздействию электромагнитных полей.

Мультиплексированные адреса.

Сначала записывается во входной регистр старший байт, затем он пересылается в регистр Y. Потом записывается во входной регистр младший байт. И он пересылается в регистр Х.

По полноте структурной схемы ЗУ делятся на:

- схемы без дешифрации адреса и данных

- без дешифрации данных

- без дешифрации адреса

- с полной дешифрацией информации.
По способу подачи данных - однонаправленные и двунаправленные.
По числу каналов – одноканальные и многоканальные.
В микросхемах ЗУ могут быть следующие выходы:
1) логический выход (0 и 1), объединение через дизъюнкцию
2) выход с открытым коллектором
3) выход с открытым эмиттером
4) с трех стабильным выходом
5) с объединением входа и выхода.

Графическое обозначение микросхемы памяти.
Управляющие сигналы могут быть следующими.
1) Выбор кристалла (микросхемы) CS (разрешение работы).
2) Чтение/Запись W/R(0 - запись, 1 - чтение).
3) Сигнал разрешения обращения к микросхеме ОЕ (при полном (не мультиплексном) адресе).
Если адрес мультиплексный, то управляющих сигналов больше:
1) CS
2) OE
3) W/R
4) RAS – сигнал выбора строба адреса строки
CAS – сигнал выбора строба адреса столбца.

Эти стробы управляют и процессом выбора кристалла. Если хотя бы одного из этих сигналов нет, то выбора не происходит.
Параметры запоминающих микросхем.
1) быстродействие (10 ( 200нс)
2) потребляемая мощность
3) стоимость
4) емкость и др.
Емкости некоторых микросхем
64к*1б – 4164 (41-разрядность,64-объем)
128к*1б – 41128
64к*4б – 41000
4М*1 или 1М*4 – 44000.
Микросхема К565РУ1. Строка включает 64 запоминающих элемента. Всего 64 строки (РУ – память).

Вход – одноразрядный. Адрес – двенадцатиразрядный.

Схема матрицы элементов (для одной строки):

Сигнал с мультиплексора MS формируется специальной схемой.

Режим работы микросхемы.

|CE |CS |RD |Режим |Создание Д0 | |
|0 |x |x |Хранение |Высокоомный выход | |
|1 |0 |0 |Запись, |(закрытый выход) Д | |
| | | |регенерация | | |
|1 |0 |1 |чтение, | | |
| | | |регенерация |(Д | |
|1 |1 |x |Регенерация |Д | |

Способы увеличения разрядности емкости блоков памяти на динамической памяти.

Увеличение емкости памяти.

Строчная организация:

Полупроводниковые ЗУ с интерфейсом Mulypas.

Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: доклад на тему физика, доклад по физике.



Предыдущая страница реферата | 2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12 | Следующая страница реферата

Поделитесь этой записью или добавьте в закладки