Предыдущая страница реферата | 2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12 | Следующая страница реферата

- низкоомные резисторы и подслой для контактных площадок

- высокоомные резисторы

- нижняя обкладка конденсатора и соединительные проводники

- диэлектрик конденсатора

- верхняя обкладка конденсатора и контактные площадки

- защитный слой;

4. Ограничение перечня элементов в пленочном исполнении;

5. Произведен расчет геометрических размеров элементов;

6. Определение необходимой площади подложки:

[pic], где Кзап=0,5-0,75

[pic]

Из перечня стандартных размеров выбираем подходящие размеры подложки . Исходя из проведенных расчетов выберем подложку с размерами
12x20 мм.

7. При проведении граф-анализа данной схемы установлено, что все пленочные и навесные элементы расположены в плоскости, и схема их соединений удовлетворяет всем конструкторским и технологическим требованиям.

Граф - анализ электрической принципиальной схемы

Рис. 3. Граф - схема

Топология

Рис. 4. Топология

Обоснование выбора корпуса

В ыбор типоразмера корпуса произведен согласно геометрическим размерам подложки. Выбор типоразмера корпуса произведен с таким расчетом, чтобы подложка стандартных размеров с размещенными на ней элементами помещалась в выбранный корпус. Корпус 1221.18-5 ГОСТ 17467-88. Корпус металлостеклянный прямоугольной формы с продольным расположением выводов. Он обладает следующими достоинствами: o хорошо экранирует плату от внешних наводок; o изоляция коваровых выводов стеклом обеспечивает наилучшую герметизацию и устойчивость к термоциклированию; o крепление крышки контактной сваркой обеспечивает хорошую герметизацию и прочность; o хорошо согласовывается с координатной сеткой.

Технологическая часть

Последовательность технологического процесса

1. Изготовление масок;
2. Подготовка подложек;
3. Формирование тонкопленочной структуры;
4. Подгонка номиналов;
5. Резка пластин на кристаллы;
6. Сборка;
7. Установка навесных элементов;
8. Контроль параметров;
9. Корпусная герметизация;
10. Контроль характеристик;
11. Испытания;
12. Маркировка;
13. Упаковка.

Методы формирования тонкопленочных элементов

О сновными методами нанесения тонких пленок в технологии ГИМС являются: термическое испарение в вакууме, катодное, ионно-плазменное и магнетронное распыления.
[pic]

Термическое испарение в вакууме 10-3 - 10 -4 Па предусматривает нагрев материала до температуры, при которой происходит испарение, направленное движение паров этого материала и его конденсация на поверхности подложки. Рабочая камера вакуумной установки (Рис. 5, а) состоит из металлического или стеклянного колпака 1, установленного на опорной плите 8. Резиновая прокладка 7 обеспечивает вакуум-плотное соединение. Внутри рабочей камеры расположены подложка 4 на подложкодержателе 3, нагреватель подложки 2 и испаритель вещества 6.
Заслонка 5 позволяет в нужный момент позволяет прекращать попадание испаряемого вещества на подложку. Степень вакуума в рабочей камере измеряется специальным прибором - вакуумметром.

Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: мировая торговля, инновационный менеджмент.



Предыдущая страница реферата | 2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12 | Следующая страница реферата

Поделитесь этой записью или добавьте в закладки