Конструирование микросхем и микропроцессоров
Категория реферата: Рефераты по информатике, программированию
Теги реферата: движение реферат, п реферат
Добавил(а) на сайт: Федот.
Предыдущая страница реферата | 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 | Следующая страница реферата
6. Находим реальную длину контактного перехода:
[pic]
Остальные резисторы данной группы удовлетворяют этому условию.
Расчет контактных переходов для резисторов второй группы
1. Исходные данные для высокоомных резисторов: [pic], где
Rн - номинальное сопротивление резистора;
[pic]- относительная погрешность контактирования;
[pic] - удельное поверхностное сопротивление; bmin - минимальная ширина резистора;
2. Рассчитаем максимально допустимое значение сопротивления контактного перехода:
[pic]Ом;
3. Рассчитаем сопротивление контактного перехода:
[pic]Ом;
4. Проверка условия:
Rк доп должно быть больше, чем Rк п. Условие соблюдается.
5. Находим минимальную длину контактного перехода:
[pic]мм;
6. Находим реальную длину контактного перехода:
[pic]
Остальные резисторы данной группы удовлетворяют этому условию.
Расчет геометрических размеров тонкопленочных конденсаторов, выполненных методом свободной маски (МСМ)
1. Исходные данные: а). конструкторские: [pic], где
Cн - номинальная емкость конденсатора;
(C - относительная погрешность номинальной емкости;
Up- рабочее напряжение на конденсаторе;
T(max C - максимальная рабочая температура МС; tэкспл - время эксплуатации МС. б). технологические: [pic], где
Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: мировая торговля, инновационный менеджмент.
Предыдущая страница реферата | 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 | Следующая страница реферата