Конструирование микросхем и микропроцессоров
Категория реферата: Рефераты по информатике, программированию
Теги реферата: движение реферат, п реферат
Добавил(а) на сайт: Федот.
Предыдущая страница реферата | 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 | Следующая страница реферата
Рис. 5. Методы осаждения тонких пленок а) - термическое испарение в вакууме; б) - катодное распыление; в) - ионно-плазменное распыление;
1 - колпак; 2 - нагреватель подложки; 3 - подложкодержатель;
4 - подложка; 5 - заслонка; 6 - испаритель; 7 - прокладка;
8 - опорная плита; 9 - катод-мишень; 10 - анод; 11 - термокатод
Катодным (ионным) распылением (Рис. 5, б) называют процесс, при котором в диодной системе катод-мишень 9, выполненный из распыляемого материала, оседающие в виде тонкой пленки на подложке 4. Ионизация инертного газа осуществляется электронами, возникающими между катодом- мишенью 9 и анодом 10 при U= 3-5 кВ и давлении аргона 1-10 Па.
При ионно-плазменном распылении (Рис. 5, в) в систему анод 10 - катод- мишень 9 вводят вспомогательный источник электронов (термокатод 11). Перед началом работы рабочая камера 1 откачивается до вакуума 10-4 Па и на термокатод 11 подается ток, достаточный для разогрева его и создания термоэлектронного тока (термоэлектронная эмиссия). После разогрева термокатода 11 между ним и анодом 10 прикладывается U=200 В, а рабочая камера наполняется инертным газом (Ar) до давления 10-1 - 10-2 Па - возникает газовый плазменный разряд. Если подать отрицательный потенциал на катод-мишень 9 (3-5 кВ), то положительные ионы, возникающие вследствие ионизации инертного газа электронами, будут бомбардировать поверхность катода-мишени 9, распылять его, а частицы материала оседать на подложке 4, формируя тонкую пленку.
Определенная конфигурация элементов ИМС получается при использовании специальных масок, представляющих собой моно- или биметаллические пластины с прорезями, соответствующими топологии (форме и расположению) пленочных элементов.
Для формирования сложных ТПЭ большой точности применяют
фотолитографию, при которой сплошные пленки материалов ТПЭ наносят на
подложку, создают на ее поверхности защитную фоторезистивную маску и
вытравливают незащищенные участки пленки. Существует несколько
разновидностей этого метода. Например, рпи прямой фотолитографии вначале на
диэлектрическую подложку наносят сплошную пленку резистивного материала и
создают защитную фоторезистивную маску, черз которую травят резистивный
слой. Затем эту маску удаляют и сверху наносят сплошную пленку металла
(например, алюминия). После создания второй фоторезистивной маски и
травления незащищенного алюминия на поверхности подложки остаются
полученные ранее резисторы, а также сформированные проводники и контактные
площадки, закрытые фоторезистивной маской.
Удалив ненужную более маску, на поверхность наносят сплошную защитную пленку (например, SiO2) и в третий раз создают фоторезистивную маску, открывая участки защитного покрытия над контактными площадками. Протравив защитное покрытие в этих местах и удалив фоторезистивную маску, получают плату ГИМС с пленочными элементами и открытыми контактными площадками.
Использованная литература
1. Методические указания к выполнению курсового проекта по курсу
“Конструирование микросхем и микропроцессоров”, МИЭМ, 1988
2. Романычева Э.Т., Справочник: ”Разработка и оформление конструкторской документации РЭА”, Радио и связь, 1989
Оглавление
Задание на курсовое проектирование
............................................................ 2
Аннотация
............................................................................
............................ 4
Введение
............................................................................
............................... 5
Электрический расчет принципиальной схемы
............................................. 6
Данные для расчета размеров тонкопленочных элементов
.......................... 7
Расчет геометрических размеров резисторов
................................................ 8
Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: мировая торговля, инновационный менеджмент.
Предыдущая страница реферата | 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 | Следующая страница реферата