Предыдущая страница реферата | 1  2  3  4  5  6  7  8 | Следующая страница реферата

|Вариант | |Эмиттер | | |База | |Коллектор |
| |Примесь |ТДИФ, |ХJe, |Примесь |NS, |Толщина, |Nb, |
| | |0С |мкм | |см -3|мкм |см -3 |
|3 |мышьяк |1100 |0,4 |бор |2?10 |0,6 |1,5?10 16 |
| | | | | |18 | | |

Содержание

Введение 5
1Расчет режимов технологического процесса и распределение примесей после диффузии 6
1.1 Распределение примесей в базе 6
1.2 Расчет режимов базовой диффузии 6
1.3 Распределение примесей в эмиттере 8
1.4 Расчет режимов эмиттерной диффузии 8
2 Расчет слоевых сопротивлений биполярного транзистора 13
3 Расчет основных параметров инвертора 15
Заключение 18
Список используемой литературы 19

Реферат

Целью данной работы является моделирование технологического процесса изготовления биполярной структуры, затем ТТЛ-инвертора на базе этой структуры. В ходе работы необходимо рассчитать основные параметры схемы.

Пояснительная записка содержит:

-страниц………………………………………………………………..20;

-рисунков………………………………………………………………..4;

-таблиц…………………………………………………………………..3;

-приложений…………………………………………………………...10.

Введение

Развитие микроэлектроники и создание новых БИС и СБИС требует новых методов автоматизированного проектирования, основой которого является математическое моделирование всех этапов разработки микросхемы.

Необходимость внедрения гибких систем автоматизированного проектирования очевидна, поскольку проектирование микросхем сложный и длительный процесс. В настоящее время используется сквозное моделирование микросхем, которое включает в себя расчет и анализ характеристик и параметров на следующих уровнях:

-технологическом;

-физико-топологическом;

-электрическом;

-функционально-логическом.

В ходе данной работы нам необходимо осуществить сквозное проектирование схемы ТТЛ-инвертора на трех первых уровнях.

Расчеты предусматривается произвести с использование программы расчета параметров модели биполярного транзистора Biptran и программы схемотехнического моделирования PSpice.

1Расчет режимов технологического процесса и распределение примесей после диффузии

1.1 Распределение примесей в базе

Распределение примесей в базе описывается кривой Гаусса и определяется формулой:

[pic], (1) где: NS- поверхностная концентрация акцепторов;

D- коэффициент диффузии примеси; t- время диффузии;

[pic]- глубина залегания коллекторного p-n перехода.

Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: курсовые работы бесплатно, реферат влияние, курсовик.



Предыдущая страница реферата | 1  2  3  4  5  6  7  8 | Следующая страница реферата

Поделитесь этой записью или добавьте в закладки