Предыдущая страница реферата | 6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16 | Следующая страница реферата

- коэффициент теплопроводности материала, заполняющего зазор между микросхемой и печатной платой - воздух - (s = 0.02442 Вт/м*К,

- объем печатной платы - Vп = 10*10-6 м3,

- шаг установки микросхем на печатной плате- tx = 0.025м, ty =
0.017м,

- давление окружающей среды и давление внутри блока - Н1 = Н2 = 0.1
МПа,

- мощность выделяющаяся в блоке - Qб = 1,784 Вт.
Определяют удельную мощность корпуса блока - qк - qк = Qб / Sк = 44.54 Вт/м2,
Определяют перегрев корпуса блока - (к -

(к = (ко * Ккп * Кн1, где (ко - перегрев корпуса герметичного блока при давлении окружающей среды 0.1 Мпа

(ко = 0.1472 * qк - 0.2962 * 10-3 * qк2 + 0.3127 * 10-6 * qк3,
Ккп -коэффициент учитывающий перфорацию корпуса блока, при Ккп = 1,
Кн1 - коэффициент учитывающий давление окружающей cреды, при H1 = 1 МПа,
Кн1 = 1.2,

Получим - (к = 5.28 К.
Определяют удельную мощность нагретой зоны блока - qз -

Qб qз = = 0.066 Вт/ м2

2*(Lкх*Lку+(1/Lкх+1/Lку)*lк*lу*lz)

Определяют среднеобъемный перегрев нагретой зоны блока - (з -

(з = (к + ( (зо - (ко ) * Ккп * Кн2, где (зо - среднеобъемный перегрев нагретой зоны блока в герметичном корпусе при давлении воздуха внутри блока 0.1 Мпа,

(зо = 0.139 * qз - 0.1223 * 10-3 * qз2 + 0.0698 * 10-6 * qз3,

Кн2 - коэффициент учитывающий давление воздуха внутри блока, при Н2 = 0.1 МПа, Кн2 = 1.

Получим - (з = 2.97 К.
Определяют среднеобемный перегрев воздуха внутри блока - (в -

(в = ( (з + (к ) / 2 = 4.12 К.
Определяют тепловую проводимость от микросхемы к корпусу блока через воздух внутри блока - бк -

[pic] где Ка - коэффициент, учитывающий теплоотдачу от корпуса микросхемы,
Вт/м2*К,

Ка = 23.54 / ( 4.317 + lg ( Sэi ) ),

Получим тепловую проводимость для микросхем, Вт*м2- бк1 =0.01941 бк2 =0.01941 бк3 =0.01941 бк4 =0.00946 бк5 =0.00946 бк6 =0.00937 бк7 =0.00946 бк8 =0.00946 бк9 =0.00903 бк10 =0.00903 бк11=0.00937 бк12=0.00946 бк13=0.00903 бк14 =0.00903 бк15=0.00903 бк16=0.00903 бк17=0.00903 бк18=0.00903 бк19=0.01230 бк20= 0.01019 бк20=0.01019 бк20=0.01019 бк20=0.01019
Определяют параметр - m -

[pic]
Определяют эквивалентный радиус микросхемы - Ri -
R= Sэ/п

Для каждой микросхемы получим, м -
R1 = 0.01189 R2 = 0.01189 R3 = 0.01189 R4 = 0.00716 R5 = 0.00716
R6 = 0.00725 R7 = 0.00716 R8 = 0.00716 R9 = 0.00682 R10 = 0.00682
R11 = 0.00725 R12 = 0.00716 R13 = 0.00682 R14 = 0.00682 R15 = 0.00682
R16 = 0.00682 R17 = 0.00682 R18 = 0.00682 R19 = 0.01070 R20 = 0.00772
R21 = 0.00772 R22 = 0.00772 R23 = 0.00772

Определяют собственный перегрев корпуса микросхемы - (эс -

(эс = К * Qэ / ( a + 1 / ( c + 1 / ( b + d ) ) ) , где K - эмпирический коэффициент. Рекомендуется принимать
К = 1.14 для микросхем, центр которых отстоит от торцов печатной платы на расстоянии меньше 3R, К = 1 для микросхем, центр которых отстоит от торцов на расстоянии больше 3R. a, b, c, d - обозначения, принятые для упрощенной записи формулы - ________ a = ( ( Ка - 4 ) * ( Н2 / 105 + 4 ) * ( Sэ - Sэо ) ,

________ b = ( 4.5 * ( Н2 / 105 + 4 ) * ( * R*R, с = (з / ( (з * ( * R * R ), d = 2* ( * R * (1 * (п * m * ( К1 (m*R) / К0 (m*R) ), где К0 (m*R) и К1 (m*R) - модифицированные функции Бесселя второго рода нулевого и первого порядка.
Проведя расчеты, получим для каждой микросхемы - (эс , К -
(эс1 = 0.19272 (эс2 = 0.19272 (эс3 = 0.19272 (эс4 = 12.81684 (эс5 =
12.81684
(эс6 = 12.84973 (эс7 = 12.81684 (эс8 = 12.81684 (эс9 =1.64644 (эс10
=1.64644
(эс11 = 4.11850 (эс12 = 4.10796 (эс13 =2.85961 (эс14 =2.85961 (эс15
=2.85961
(эс16 = 38.12818 (эс17 = 38.12818 (эс18 = 38.12818 (эс19 = 6.85716
(эс20 = 9.40903
(эс21 = 9.40903 (эс22 = 9.40903 (эс23 = 9.40903
Определяют предельный радиус взаимного теплового влияния- Rпр-

1

Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: купить диплом высшее, диплом, доклад на тему животные.



Предыдущая страница реферата | 6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16 | Следующая страница реферата

Поделитесь этой записью или добавьте в закладки