Расчёт и проектирование маломощных биполярных транзисторов
Категория реферата: Рефераты по радиоэлектронике
Теги реферата: изложение русский язык 6 класс, рефераты
Добавил(а) на сайт: Евникия.
1 2 3 4 5 6 7 8 9 | Следующая страница реферата
Саратовский Государственный Технический
Университет
Кафедра «Электронные приборы и устройства»
Курсовая работа
На тему:
«Расчёт и проектирование маломощных биполярных транзисторов»
Выполнил: ст. Козачук В. М.
Проверил: доц. Торопчин В. И.
САРАТОВ 1999г.
Оглавление.
Оглавление. 1
1. Введение 2
2. Цель задания 2
3. ОБЩАЯ ЧАСТЬ 2
3.1 Техническое задание. 2
3.2 Параметры, выбранные самостоятельно. 2
3.3 Перечень используемых обозначений 3
4. Выбор технологии изготовления транзистора 5
4.1 Сплавно-диффузионные транзисторы. 5
4.2 Структура сплавно-диффузионного p-n-p 7
5. ОСНОВНАЯ ЧАСТЬ 8
5.1 Расчёт толщины базы и концентраций примесей. 8
5.2 Расчет коэффициента передачи тока 11
5.3 Расчет емкостей и размеров переходов 11
5.4 Расчет сопротивлений ЭС и граничных частот 12
5.5 Расчет обратных токов коллектора 14
5.6 Расчет параметров предельного режима и определение толщины элементов кристаллической структуры 15
5.7 Расчёт эксплутационных параметров 15
6. Выбор корпуса транзистора 16
7. Обсуждение результатов 18
8. Выводы: 18
9. Список используемой литературы 20
Введение
Используемые физические свойства полупроводника известны и используются с конца 19 века. При изобретении радио А.С. Поповым был применен порошковый когерер, в котором использовались нелинейные свойства зернистых структур. В 1923-1924 гг. Лосев О.В. обнаружил наличие отрицательного дифференциального сопротивления и явление люминесценции в точечных контактных сопротивлениях карбида кремния. В 1940 году был изготовлен первый точечный диод. В 1948 году американский физик Дж. Бардии, а также И.Браштейн разработали и изготовили точечно-контактный транзистор, в 1952 г. впервые были созданы промышленные образцы плоскостных транзисторов. В 1956 г. началось производство транзисторов с базой, полученной методом диффузии. В начале 60-х годов была применена планарная технология изготовления транзисторов. В настоящее время рабочие частоты транзисторов достигают 50 ГГц. По уровню рассеиваемой мощности транзисторы делятся на маломощные, средней и большой мощности.
Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: реферат на тему война, сочинение рассуждение, конспект занятия.
1 2 3 4 5 6 7 8 9 | Следующая страница реферата