Расчёт и проектирование маломощных биполярных транзисторов
Категория реферата: Рефераты по радиоэлектронике
Теги реферата: изложение русский язык 6 класс, рефераты
Добавил(а) на сайт: Евникия.
Предыдущая страница реферата | 1 2 3 4 5 6 7 8 9 | Следующая страница реферата
Цель задания
Задачей выполнения курсового проекта является разработка маломощного биполярного транзистора в диапазоне, средних и высоких частот.
Целью работы над проектом является приобретение навыков решения инженерных задач создания дискретных полупроводниковых приборов, углубление знаний процессов и конструктивно технологических особенностей биполярных маломощных транзисторов.
ОБЩАЯ ЧАСТЬ
1 Техническое задание.
Техническое задание содержит требования к параметрам и условиям
эксплуатации практикуемого прибора. В данном случае наиболее существенны
следующие параметры:
1. Номинальный ток коллектора Iк ном=9мА.
2. Номинальное напряжение коллектора Uк ном=13В
3. Верхняя граничная частота f(=90МГц
4. Максимальная рассеивающая мощность Рк мах=60мВт
5. Максимальное напряжение коллектора Uк мах=18В
6. Максимальный ток коллектора Iк мах=12мА
7. Максимальная рабочая температура транзистора Тк мах=74(С
8. Коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ ?=65
2 Параметры, выбранные самостоятельно.
1. Время жизни ННЗ ?ср=5мкс
2. Материал кристалла Ge
3. Тип структуры p-n-p
4. Ёмкость коллекторного перехода Ск=2пФ
5. Коофициент запаса по частоте F Х1=1,3
6. Перепад Nб Х2= 500
7. Отношение концентраций NОЭ/ Nб=3
8. Толщина диффузионного слоя hдс= мкм
9. Скорость поверхностной рекомбинации Sрек= слус
3 Перечень используемых обозначений
Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: реферат на тему война, сочинение рассуждение, конспект занятия.
Предыдущая страница реферата | 1 2 3 4 5 6 7 8 9 | Следующая страница реферата