Предыдущая страница реферата | 1  2  3  4  5  6  7  8  9 | Следующая страница реферата

Rm, - тепловое сопротивление; rб - эквивалентное сопротивление базы; rб’, rб’’ - омическое и диффузное сопротивление базы; rэ - сопротивление эмитера без учета эффекта Эрле; rэ’ - сопротивление эмитера с учетом эффекта Эрле;

S — скорость поверхностной рекомбинации;

Т — абсолютная температура;

Тк — температура корпуса транзистора;

Тmax - максимально допустимая температура коллекторного перехода;

W - геометрическая толщина базы;

Wg — действующая толщина базы;

Uэб - напряжение эмитер-база;

Uкб - напряжение коллектор-база;

Ukpn - контактная разность потенциалов;

Uпроб - напряжение пробоя;

Uпрок - напряжение прокола транзистора;

Uк - напряжение коллекторного перехода;

Uk max - максимально допустимое напряжение на коллекторе;

Iэ — ток эмитера;

Iб — ток базы;

Iко — обратный ток коллектора при разомкнутом эмиттере;

Ikmax - максимально допустимый ток коллектора;

Iген - ток термогенерации в области объемного заряда;

Iрек — ток рекомбинации;

( - коэффициент передачи тока в схеме с общей базой;

(о - низкочастотное значение (;

(* — коэффициент усиления тока коллекторного перехода за счет не основных носителей заряда;

( — коэффициент передачи тока в схеме с общим эмитером;

( — коэффициент инжекции эмитера; бк — толщина коллекторного перехода;

Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: реферат на тему война, сочинение рассуждение, конспект занятия.



Предыдущая страница реферата | 1  2  3  4  5  6  7  8  9 | Следующая страница реферата

Поделитесь этой записью или добавьте в закладки