Предыдущая страница реферата | 1  2  3  4  5  6  7  8  9 | Следующая страница реферата

2 – рекристаллизационная область – эмиттер; n – размеры кристалла; c, d – размеры лунки; hкр – толщина кристалла;

Rэ, Rб – радиусы выводов эмиттера и базы;

ОСНОВНАЯ ЧАСТЬ

Расчёт сплавно-диффузионного транзистора.

Задачи расчёта

В результате расчёта должны быть определены электрофизические и геометрические параметры транзисторной структуры, параметры эквивалентной Т- образной схемы транзистора по переменному току, его эксплуатационные параметры. Часть электрофизических и геометрических параметров при расчёте задаётся исходя из соображений номенклатурного порядка. В конце расчёта выбирается тип корпуса транзистора.

В итоге должны иметься все геометрические и электрофизические параметры, необходимые для исполнения конструкторской и основной части технологической документации. Особенно это касается состава диффузантов, навесок и припоев.

1 Расчёт толщины базы и концентраций примесей.

Действующая толщина базы определяется соотношением (1).

[pic], (1) где tпр-время пролёта базы tпр=[pic], (2) где [pic] - коэффициент запаса по частоте f, [pic]=1,3

[pic] сек.

Задавшись величиной перепада концентраций примеси на границах базы х=200, выразим среднее значение концентрации примеси на границах базы по формуле (3).

[pic], (3)

Так как [pic], (4) необходимо определить концентрацию примеси, формирующей коллекторную область

[pic]

Для нахождения концентрации базы NБ используем связь напряжения пробоя
Uпроб с удельным сопротивлением коллектора ?к:

[pic], (5) где [pic]- низкочастотное значение коэффициента передачи тока в схеме

ОБ [pic], (6)

[pic]
Удельное сопротивление коллектора рассчитывается по формуле (7)

[pic], (7)
Для выбранного нами типа структуры транзистора (Ge, p-n-p)

B=5.2, n=0.61, l=1/6 /1/ x=0.8 (для дрейфовых транзисторов). Подставим численные значения в выражение (7), а затем в (5).

= 0,9903 Ом*см

=12,748 В

По графику изображенному на рис3.3.1 найдём величину концентрации No

[pic]
Определим среднее значение концентрации примеси NБ, формирующий проводимость базы с помощью соотношений (3) и (4)

Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: реферат на тему война, сочинение рассуждение, конспект занятия.



Предыдущая страница реферата | 1  2  3  4  5  6  7  8  9 | Следующая страница реферата

Поделитесь этой записью или добавьте в закладки