Расчёт и проектирование маломощных биполярных транзисторов
Категория реферата: Рефераты по радиоэлектронике
Теги реферата: изложение русский язык 6 класс, рефераты
Добавил(а) на сайт: Евникия.
Предыдущая страница реферата | 1 2 3 4 5 6 7 8 9 | Следующая страница реферата
[pic]
[pic]
По графику, на рис 3.4.1, найдём среднее значение подвижности не основных носителей заряда в базе [pic]
[pic]
Определим среднее значение коэффициента диффузии в базе, воспользовавшись соотношением (8)
[pic], (8) где [pic]- тепловой потенциал, мВ
[pic] (9)
[pic]
[pic]
Подставив вышеопределённые значения в формулу (1), найдём действующую
толщину базы.
[pic]
Величина концентрации примеси, формирующей проводимость базы, на поверхности кристалла NБ(0) определится из соотношения (10)
[pic], (10) где х1Б=0,2 мкм
?Б - коэффициент передачи тока с общей базой [pic], (11)
[pic]1,217*10-4
Подставим численные значения в выражение (10)
[pic]
Задавшись величиной отношения Nоэ/Nб(0), найдём концентрацию эмиттерной
примеси. Nоэ/Nб(0)=3.
Из соотношения (12) выразим концентрацию основных носителей эмиттера.
Nоэ=3*Nб(0)
Nоэ=3* [pic]=3,826421*1018 см-3
Проверим не превышает ли расчётное значение напряжения пробоя коллекторного перехода Uпр величину напряжения прокола транзистора Uпрок, которое рассчитывается по формуле (13)
[pic], (13) где
где: [pic], (14)
Подставляя численные значения в формулы (14) и (13), найдём величину
напряжения прокола транзистора.
[pic][pic]
[pic]
Значение напряжения пробоя коллекторного перехода (Uпр=12.748) не превышает величину напряжения прокола транзистора Uпрок=240,0092 В
(Uпрок>> Uпр)
Вычислим среднее значение удельного сопротивления области базы по формуле (15)
Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: реферат на тему война, сочинение рассуждение, конспект занятия.
Предыдущая страница реферата | 1 2 3 4 5 6 7 8 9 | Следующая страница реферата