Расчёт и проектирование маломощных биполярных транзисторов
Категория реферата: Рефераты по радиоэлектронике
Теги реферата: изложение русский язык 6 класс, рефераты
Добавил(а) на сайт: Евникия.
Предыдущая страница реферата | 1 2 3 4 5 6 7 8 9 | Следующая страница реферата
[pic], (15)
По графику приведённому на рис. , определим среднее значение
подвижности основных носителей заряда в базе [pic]
[pic]=1800[pic]
[pic] Ом*см
4 Расчет коэффициента передачи тока
Задача: для рассчитанного Wq определить коэффициент передачи тока (0 и
сравнить его с требуемым.
Коэффициент передачи тока можно записать как:
(0=(0 (0 (* (16).
Далее, рассчитываем коэффициент инжекции (0:
(0=1[pic] (17).
Для его определения необходимо найти:
Lнб=[pic]105.2792 см (18),
(0=0.996913.
Далее находим коэффициент переноса ННЗ через базу:
(0 = 1 - [pic]=0.9996758 (19).
Теперь необходимо рассчитать коэффициент усиления ННЗ в коллекторе по
формуле:
(* = 1 + [pic] (20),
(* ( 1. и, наконец, мы можем рассчитать (0:
(0 = (0 (0 (* = 0.9905917
5 Расчет емкостей и размеров переходов
Задача: Определить барьерные (зарядные) емкости и величины поверхности
коллекторного и эмитерного переходов, а так же геометрические размеры
полупроводниковой пластины, в которой формируется транзисторная структура.
1. Зарядная емкость коллекторного перехода. Cзк и величина поверхности
коллекторного перехода Sк:
Коллекторный переход плавный, поэтому:
Cзк = Sк[pic] (21).
Известно, что:
Cзк = 2*10-12 пФ и Sк = 2.678418*10-4 см2.
Исходя из данных значений Cзк и найдено максимальное значение Sкmax. Можно
считать, что:
Sкmax = 0.9 c d (22).
Задаемся значением p = 150*10-4 см.
Добавив к нему 250 мкм находим с с = (250 + 150) *10-4 = 400*10-4см
1. Зарядная емкость эмитерного перехода. Cзэ и величина поверхности эмитерного перехода Sэ:
Эмитерный переход резкий, поэтому:
Cзэ = Sэ[pic] (23).
Для нахождения Cзэ необходимо найти (крп и Аэ:
(крп = (т[pic] = 0.5136617В (24),
Sэ = Ik [pic] (25).
Задаемся величиной Uэб = 0.2313273В, соответствующей
Sэ = 3.769911*10-5см2.
Теперь можно рассчитать Cзэ по формуле (26):
Cзэ =1,677762*10-11Ф.
3. Размеры эмитера и базы.
Размеры металлических выводов определяются величиной Sэ и и глубиной
вплавления электрода в кристалл hэ:
Rэ = - hэ + [pic] (26).
Величина hэ выбирается в пределах hэ = 10..30мкм, выбираем hэ = 20мкм.
Rэ = 20мкм.
Для центрального расположения выводов Rэ = Rб, Rб = 20мкм.
Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: реферат на тему война, сочинение рассуждение, конспект занятия.
Предыдущая страница реферата | 1 2 3 4 5 6 7 8 9 | Следующая страница реферата